AOTF3N80技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF3N80 是一款采用TO-220-3F封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能与可靠性。其结构采用了先进的单元设计，有效降低了单位面积的导通电阻，同时通过优化的栅极和终端结构，确保了在高达800V的漏源电压下具备稳定的阻断能力。

该MOSFET的显著特性在于其优异的高压耐受性与开关效率。其漏源电压额定值高达800V，为离线式电源、功率因数校正等应用提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，当栅源驱动电压为10V时，其导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，结合510pF的输入电容，意味着器件需要更少的驱动能量即可实现快速开关，从而降低开关损耗并提升系统整体效率，这对于高频开关电源设计至关重要。

在电气参数上，AOTF3N80在壳温条件下支持2.8A的连续漏极电流，最大栅源电压范围为±30V，提供了宽裕且安全的驱动窗口。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件的功率耗散能力为35W，结合其通孔安装的TO-220-3F封装，为散热设计提供了便利。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原厂正品与技术资料。

凭借800V的高压能力和良好的开关特性，该器件非常适合应用于各类需要高效能功率转换的场合。其主要应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及电机控制中的辅助电源部分。其坚固的封装和宽温工作范围也使其适用于工业控制、家用电器等对可靠性和耐用性有较高要求的领域。

• 制造商产品型号：AOTF3N80
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：800V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：10nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：510pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：35W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-220-3F
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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