AOTF3N80技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOTF3N80 是一款采用TO-220-3F封装的高压N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在优化高压开关应用中的性能与可靠性。其结构采用了先进的单元设计，有效降低了单位面积的导通电阻，同时通过优化的栅极和终端结构，确保了在高达800V的漏源电压下具备稳定的阻断能力。

该MOSFET的显著特性在于其优异的高压耐受性与开关效率。其漏源电压额定值高达800V，为离线式电源、功率因数校正等应用提供了充足的电压裕量。在导通特性方面，当栅源驱动电压为10V时，其导通电阻典型值较低，有助于减少导通状态下的功率损耗。此外，其栅极电荷（Qg）最大值仅为10nC，结合510pF的输入电容，意味着器件需要更少的驱动能量即可实现快速开关，从而降低开关损耗并提升系统整体效率，这对于高频开关电源设计至关重要。

在电气参数上，AOTF3N80在壳温条件下支持2.8A的连续漏极电流，最大栅源电压范围为±30V，提供了宽裕且安全的驱动窗口。其阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V，具备良好的噪声抑制能力。器件的功率耗散能力为35W，结合其通孔安装的TO-220-3F封装，为散热设计提供了便利。其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）确保了其在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取原厂正品与技术资料。

凭借800V的高压能力和良好的开关特性，该器件非常适合应用于各类需要高效能功率转换的场合。其主要应用场景包括离线式开关电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、LED照明驱动以及电机控制中的辅助电源部分。其坚固的封装和宽温工作范围也使其适用于工业控制、家用电器等对可靠性和耐用性有较高要求的领域。

• 型号:AOTF3N80
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220-3F
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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