AOW292技术参数

AOW292是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于坚固的TO-262（I2PAK）通孔封装中。其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡，通过优化的单元设计和低电阻金属化工艺，显著降低了导通电阻和栅极电荷，从而在开关应用中减少损耗并提升整体系统能效。

该器件具备多项突出的功能特性。其漏源击穿电压（Vdss）高达100V，为48V及以下总线电压应用提供了充足的电压裕量，增强了系统的可靠性。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至4.1毫欧（@20A），这直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为126nC（@10V），结合适中的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，尤其适合高频开关应用。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达105A，展现出强大的电流处理能力。

在接口与参数层面，AOW292提供了宽泛且稳健的工作条件。其栅源电压（Vgs）可承受±20V，增强了驱动电路的鲁棒性。器件支持高达300W（Tc）的功率耗散，结合TO-262封装良好的热性能，确保了在高功率场景下的稳定运行。其工作结温范围覆盖-55°C至175°C，使其能够适应严苛的工业与汽车环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取原厂正品和技术支持。

基于其优异的电气参数和封装特性，AOW292非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。典型应用场景包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器（尤其是降压和半桥拓扑）、电机驱动与控制器、以及不间断电源（UPS）系统。其高耐压和高电流能力也使其成为电动工具、轻型电动车和汽车辅助电源系统中功率开关的理想选择，能够有效提升终端产品的性能和可靠性。

• 制造商产品型号：AOW292
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 105A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.1 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：126nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6775pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），300W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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