AOW296技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaSGT产品系列的一员，AOW296是一款采用先进屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在提升开关性能的同时，显著降低了导通损耗与栅极电荷。该技术路径使得器件在高压应用中能够实现更低的FOM（品质因数），为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该器件在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，于25°C壳温（Tc）条件下可提供高达70A的连续漏极电流（Id），展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A测试条件下，Rds(on)最大值仅为9.7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在52nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速开关特性和简洁的驱动电路设计，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动。

在接口与参数方面，AOW296采用工业标准的TO-262通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为104W（Tc）。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电压为10V，并在6V时即可实现较低的导通电阻，为不同设计提供了灵活性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，增强了应用的鲁棒性。工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，确保其在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

基于其优异的性能组合，AOW296非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、大电流同步整流、电机驱动与控制（如电动工具、无人机）、以及各类工业电源中的功率开关部分。其高电流、低损耗的特性使其成为构建紧凑、高效功率系统的理想选择。

• 制造商产品型号：AOW296
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：AlphaSGT
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：52nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2785pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：104W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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