AOW296技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下AlphaSGT产品系列的一员，AOW296是一款采用先进屏蔽栅沟槽（SGT）MOSFET技术的N沟道功率器件。其核心架构优化了单元密度与电荷平衡，在提升开关性能的同时，显著降低了导通损耗与栅极电荷。该技术路径使得器件在高压应用中能够实现更低的FOM（品质因数），为高效率功率转换提供了坚实的硬件基础。

该器件在100V的漏源电压（Vdss）额定值下，于25°C壳温（Tc）条件下可提供高达70A的连续漏极电流（Id），展现出强大的电流处理能力。其关键特性在于极低的导通电阻，在10V驱动电压（Vgs）和20A测试条件下，Rds(on)最大值仅为9.7毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在52nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），确保了快速开关特性和简洁的驱动电路设计，有助于降低开关损耗并简化栅极驱动。

在接口与参数方面，AOW296采用工业标准的TO-262通孔封装，具有良好的机械强度和散热特性，其最大功率耗散能力为104W（Tc）。器件支持宽范围的栅极驱动电压，标准驱动电压为10V，并在6V时即可实现较低的导通电阻，为不同设计提供了灵活性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，增强了应用的鲁棒性。工作结温（TJ）范围覆盖-55°C至150°C，确保其在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取完整的供应链服务与设计资源。

基于其优异的性能组合，AOW296非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC转换器、大电流同步整流、电机驱动与控制（如电动工具、无人机）、以及各类工业电源中的功率开关部分。其高电流、低损耗的特性使其成为构建紧凑、高效功率系统的理想选择。

• 型号:AOW296
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-262
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO262
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2785 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOW296现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。