AOW298技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款功率MOSFET产品，AOW298采用了成熟的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管技术。其核心架构基于平面型MOSFET设计，通过优化的单元结构和沟道工艺，旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。该器件在封装上选用了TO-262（也称为I-PAK）通孔形式，这种封装提供了坚固的机械结构和优异的导热路径，便于安装在散热器上，以满足较高的功率耗散需求。

该器件具备一系列针对功率开关应用优化的电气特性。其最大漏源电压（Vdss）为100V，使其能够适用于多种中压直流母线环境。在25°C环境温度下，连续漏极电流（Id）额定值为9A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达58A，这突显了其卓越的电流承载能力，尤其是在配合有效散热时。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为14.5毫欧，这一低导通阻抗特性对于降低开关状态下的导通损耗至关重要，有助于提升系统整体效率。

在动态参数方面，栅极电荷（Qg）在10V Vgs下最大值为27nC，结合最大4.1V的栅极阈值电压（Vgs(th)），表明该器件具有适中的开关驱动需求，有利于简化栅极驱动电路设计并控制开关损耗。其输入电容（Ciss）在50V Vds下最大为1670pF。器件的栅源电压可承受±20V的范围，提供了较强的抗栅极电压瞬态冲击能力。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了在严苛环境下的可靠运行。对于需要获取详细技术资料或样片的用户，可以通过官方授权的AOS代理进行咨询。

基于其100V的耐压、高达58A（Tc）的电流能力以及低至14.5毫欧的导通电阻，AOW298非常适合于需要高效功率控制和管理的应用场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器中的功率开关、电机驱动控制电路以及各类工业设备中的负载开关。其TO-262封装形式使其在空间允许且对散热有要求的通孔安装设计中成为一个可靠的选择。

• 制造商产品型号：AOW298
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：27nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1670pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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