AOW360A70技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS5系列的一员，AOW360A70是一款采用先进平面MOSFET工艺技术打造的N沟道功率器件。其核心架构旨在实现高耐压与低导通损耗的优异平衡，通过优化的单元设计和制造工艺，显著提升了功率转换效率和开关性能，为高要求的功率应用提供了可靠的半导体解决方案。

该器件具备700V的高漏源击穿电压（Vdss），能够从容应对工业及消费类电源中常见的电压应力和浪涌冲击，确保了系统在恶劣工况下的长期稳定性。在导通特性方面，其在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值仅为360毫欧（@6A），这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和发热量，有助于提升整体能效并简化散热设计。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在22.5nC（@10V），较低的开关电荷需求意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，特别适合高频开关应用。

在接口与关键参数上，AOW360A70采用坚固的TO-262通孔封装，便于安装和散热。其连续漏极电流（Id）在壳温（Tc）条件下可达12A，最大允许栅源电压（Vgs）为±20V，提供了宽裕的安全设计余量。功率耗散能力高达156W（Tc），结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，使其能够适应从寒冷到酷热的各类环境。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS总代理获取产品与相关服务。

凭借其高耐压、低损耗和高可靠性的特点，此芯片非常适用于开关电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）电路和主开关拓扑、工业电机驱动、不间断电源（UPS）以及高效照明（如LED驱动）等应用场景。在这些领域中，它能够有效提升功率密度，降低系统温升，是实现高能效、高可靠性电源设计的理想选择。

• 制造商产品型号：AOW360A70
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 700V 12A TO262
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：700V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：360 毫欧 @ 6A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1360pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：TO-262
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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