AOWF25S65技术参数
- 制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：-
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
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AOWF25S65技术参数详情说明：
AOWF25S65是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的aMOS技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-262F封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化的单元设计和先进的沟槽工艺，在确保高击穿电压的同时，显著降低了单位面积的导通电阻，从而实现了优异的功率密度与开关性能平衡。
该器件具备650V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C壳温下可支持高达25A的连续漏极电流。其关键特性在于出色的导通电阻表现，在10V栅极驱动电压和12.5A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(On)）最大值仅为190毫欧，这直接降低了导通状态下的功率损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在26.4nC @ 10V，结合1278pF @ 100V的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关损耗，提升系统整体效率。其栅源电压（Vgs）耐受范围宽达±30V，增强了驱动电路的鲁棒性。
在接口与热性能方面，AOWF25S65采用通孔安装形式，便于在需要高可靠性的功率板上进行焊接。其最大功率耗散能力为28W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了器件在严苛环境下的稳定运行。对于需要批量采购和技术支持的客户，可以通过官方指定的AOS中国代理获取完整的规格书、样品以及应用设计指导。
凭借650V的高压耐受能力和25A的电流处理能力，AOWF25S65非常适用于要求高可靠性和高效率的离线式电源应用。其典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、不间断电源（UPS）以及电机驱动和逆变器的功率开关部分。该器件为工程师在高压功率路径设计中提供了一个兼顾性能与成本的可靠解决方案。
- 制造商产品型号：AOWF25S65
- 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 25A TO262F
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：aMOS
- 零件状态：不用於新
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：25A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.4nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1278pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：28W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：-
- 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOWF25S65现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。
