

AOZ8211DI-05技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:TVS - 二极管,封装:0402(1006 公制)
- 技术参数:TVS DIODE 5V 10V 2DFN
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AOZ8211DI-05技术参数详情说明:
AOZ8211DI-05是一款由Alpha & Omega Semiconductor (AOS)设计生产的单向瞬态电压抑制(TVS)二极管,采用紧凑的2-DFN封装。其核心架构基于齐纳二极管原理,通过精确的半导体掺杂工艺,在PN结上形成一个稳定的雪崩击穿区域,当施加的反向电压超过其击穿阈值时,器件会迅速进入低阻抗导通状态,从而将过电压能量旁路至地,为下游敏感电路提供可靠的保护屏障。该器件设计用于快速响应瞬态电压事件,如静电放电(ESD)和电气快速瞬变(EFT),其响应时间通常在皮秒级,能有效抑制电压尖峰,防止电路损坏。
该TVS二极管具备多项关键特性,使其在电路保护应用中表现出色。其反向断态电压为5V,最小击穿电压为6V,在承受典型8/20s浪涌波形、峰值脉冲电流高达5.5A时,箝位电压最大值被有效限制在10V,展现了优异的电压箝位能力。这意味着它能在极短时间内将危险的过电压限制在一个安全的水平,保护工作电压通常在3.3V或5V的逻辑接口和IC。此外,其极低的结电容典型值仅为16pF @ 1MHz,这一特性对于保护高速数据线(如USB、HDMI、以太网)至关重要,能最大程度地减少对信号完整性的影响,避免信号失真或衰减。
在接口与参数方面,AOZ8211DI-05采用表面贴装技术,封装为微型的0402(1006公制),非常适合高密度PCB布局。其峰值脉冲功率处理能力达到50W,能够吸收并耗散可观的瞬态能量。器件的工作结温范围宽达-40°C至85°C,确保了在严苛工业或消费电子环境下的稳定性和可靠性。对于需要批量采购或技术支持的客户,可以通过官方AOS授权代理渠道获取原装正品和完整的设计资源。
鉴于其通用型设计、快速的响应速度和低电容特性,AOZ8211DI-05广泛应用于需要稳健电路保护的场景。它常见于各类便携式设备的I/O端口保护,如智能手机、平板电脑的USB端口和按键电路,防止人体静电放电(ESD)造成的损害。在通信设备、计算机外围设备、工业控制模块以及汽车电子系统中,它也常被用于保护数据线、电源线和复位线,抵御由开关动作、感性负载断开或雷击感应引起的浪涌电压,是提升系统电磁兼容性(EMC)和可靠性的基础元件。
- 制造商产品型号:AOZ8211DI-05
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:TVS DIODE 5V 10V 2DFN
- 系列:TVS - 二极管
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压-反向断态(典型值):5V(最大)
- 电压-击穿(最小值):6V
- 不同Ipp时电压-箝位(最大值):10V
- 电流-峰值脉冲(10/1000s):5.5A(8/20s)
- 功率-峰值脉冲:50W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:16pF @ 1MHz
- 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:0402(1006 公制)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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