AO4202技术参数

AO4202是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，并封装于紧凑的8-SOIC表面贴装封装中。该器件内部集成了一个高性能的MOSFET单元，其设计旨在优化功率密度与开关性能的平衡，通过精心的版图布局和工艺控制，实现了低寄生电感和电容，为高效率的功率转换奠定了基础。

该MOSFET的核心优势在于其优异的导通特性与开关性能。在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至5.3毫欧（@19A），这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC（@10V），较低的栅极电荷意味着在开关过程中所需的驱动能量更少，有助于降低驱动电路的损耗并提升开关频率，适用于对动态性能要求较高的应用。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，确保了与标准逻辑电平或低电压PWM控制器的良好兼容性。

在电气参数方面，AO4202的额定漏源电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下可达19A，最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了充足的电压裕量。其输入电容（Ciss）最大值为2200pF，结合低Qg特性，共同优化了开关速度。器件的最大功率耗散为3.1W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。用户可以通过正规的AOS代理获取完整的技术资料与供货支持。

凭借30V的耐压、19A的电流能力以及出色的低导通电阻和开关特性，这款器件非常适合用于需要高效率和高功率密度的DC-DC同步整流、电机驱动控制以及各类负载开关电路中。其表面贴装形式便于自动化生产，广泛应用于服务器电源、通信设备、工业自动化以及消费类电子产品的电源管理模块，是工程师在紧凑空间内实现高效功率处理的可靠选择。

• 制造商产品型号：AO4202
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 19A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO4202现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。