AON7402_101技术参数

AON7402_101是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术，封装于紧凑的8-DFN-EP（3x3）表面贴装型封装内。该器件在单一芯片上集成了高性能的功率开关功能，其核心架构旨在优化功率密度与开关效率的平衡，通过精心的版图设计和工艺控制，实现了低导通电阻与快速开关特性的结合。

该MOSFET具备多项突出的电气特性。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，适用于常见的低压直流母线环境。在导通特性方面，器件在10V栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至10毫欧（@20A），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，并与4.5V至10V的推荐驱动电压范围相匹配，确保了与标准逻辑电平或PWM控制器的良好兼容性，同时提供了充足的噪声容限。

在动态性能参数上，栅极总电荷（Qg）最大值仅为17.8nC（@10V），结合770pF（@15V）的典型输入电容（Ciss），共同构成了较低的栅极驱动需求，这意味着开关过程中的驱动损耗更低，开关速度更快，尤其适合高频开关应用。器件的电流处理能力根据散热条件不同而有所区别，在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为13.5A，而在管壳温度（Tc）下则可高达39A，这突显了其封装和芯片设计对热管理的重视。其最大结温（TJ）范围为-55°C至150°C，提供了宽泛的工作温度适应性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS总代理获取相关的技术支持和产品信息。

综合其电气参数与封装特性，AON7402_101非常适合应用于对效率和空间均有严苛要求的领域。其主要应用场景包括但不限于：DC-DC同步整流转换器中的低压侧或高压侧开关、笔记本电脑和服务器主板的VRM（电压调节模块）、分布式电源系统的负载点（POL）转换器，以及各类电机驱动、电池保护电路中的功率开关。其紧凑的DFN封装有助于实现高密度的PCB布局，是追求小型化、高效率的现代电子设备的理想功率开关解决方案之一。

• 制造商产品型号：AON7402_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 13.5A/39A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），39A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：17.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：770pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），26W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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