AO4202L技术参数

AO4202L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。其核心架构基于成熟的金属氧化物半导体场效应管设计，采用表面贴装型8-SO封装，在紧凑的物理尺寸内实现了优异的电气性能平衡。该器件旨在为设计工程师提供一个在中等电压和电流应用中兼具高效率与可靠性的开关解决方案。

该器件的一个突出特点是其极低的导通电阻，在10V栅极驱动电压、19A漏极电流条件下，其最大值仅为5.3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体能效并减少发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为35nC，结合适中的输入电容，意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有利于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。其栅源阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V，确保了与常见逻辑电平或低压PWM控制器的良好兼容性。

在接口与关键参数方面，AO4202L的漏源击穿电压（Vdss）为30V，连续漏极电流（Id）在25°C环境温度下可达19A，最大栅源电压（Vgs）为±20V，提供了充足的电压裕量。其最大功耗为3.1W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS中国代理获取相关的技术支持和产品信息。

凭借其性能组合，该MOSFET非常适合应用于需要高效功率切换和控制的领域。典型应用场景包括直流-直流转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护与管理系统，以及各类负载开关。其紧凑的8-SO封装使其能够很好地适应空间受限的现代电子设备，如笔记本电脑、通信模块、便携式工具和消费类电子产品中的电源管理单元。

• 制造商产品型号：AO4202L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 19A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：19A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.3 毫欧 @ 19A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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