AOD4184A技术参数

AOD4184A 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进沟槽技术制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的占位面积内实现了优异的功率处理能力与热性能平衡。其核心设计旨在优化开关性能与导通损耗，通过精心的芯片布局与封装工艺，确保了在宽温度范围内的稳定性和可靠性。

该 MOSFET 的突出特性在于其极低的导通电阻，在 10V 栅极驱动电压、20A 漏极电流条件下，Rds(ON) 典型值仅为 7 毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少发热。同时，其栅极电荷 (Qg) 最大值控制在 33nC @ 10V，结合适中的输入电容 (Ciss)，有助于实现快速的开关切换，降低开关损耗，特别适用于高频开关应用。其栅源电压 (Vgs) 最大额定值为 ±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。

在电气参数方面，AOD4184A 具备 40V 的漏源击穿电压 (Vdss)，提供了稳健的电压余量。其连续漏极电流能力在环境温度 (Ta) 25°C 下为 13A，而在管壳温度 (Tc) 条件下可达 50A，展现了封装优异的散热潜力。最大功率耗散在管壳温度 (Tc) 条件下高达 50W。器件拥有宽广的工作结温范围，从 -55°C 延伸至 175°C，能够适应苛刻的环境要求。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS一级代理 进行采购与咨询。

凭借其性能组合，该器件非常适合用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括 DC-DC 转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路、电池保护模块以及各类电源管理单元。其 TO-252 封装兼顾了功率处理能力和 PCB 空间利用率，是空间受限但功率需求较高的现代电子设备的理想选择。

• 制造商产品型号：AOD4184A
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：40V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1800pF @ 20V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.3W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD4184A现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。