AO4264E技术参数

AO4264E是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）基于其先进的AlphaSGT技术平台开发的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅工艺，在8-SO封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一核心指标直接关系到开关电源等应用中的转换效率与开关损耗。其设计平衡了高电流处理能力与快速开关特性，为工程师在紧凑空间内实现高效功率控制提供了可靠的半导体解决方案。

该MOSFET的显著特性包括60V的漏源击穿电压（Vdss）和在25°C环境温度下达13.5A的连续漏极电流（Id）能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅源驱动电压（Vgs）下典型值仅为9.8毫欧，这确保了在导通状态下具有极低的传导损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）在4.5V Vgs下最大值仅为13nC，结合1100pF的输入电容（Ciss），意味着器件所需的驱动能量小，能够实现快速的开启与关断，有利于提升系统在高频工作下的整体效率。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.4V，并与±20V的最大栅源电压规格相结合，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。

在电气参数方面，AO4264E支持从4.5V到10V的标准逻辑电平驱动，兼容多数主流控制器，简化了驱动电路设计。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并具备3.1W（Ta）的功率耗散能力，保证了在严苛环境下的稳定性和可靠性。表面贴装的8-SO封装形式使其非常适合自动化生产，并能有效节省PCB板面积。对于需要可靠供应链和本地技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取该产品及相关设计资源。

凭借其性能组合，AO4264E主要面向需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器应用，如同步整流、电机驱动、负载开关及各类电源管理系统。它尤其适用于计算设备、通信基础设施、工业自动化以及消费类电子产品中的降压（Buck）或升压（Boost）转换器拓扑，是工程师实现紧凑、高效功率转换设计的优选器件。

• 型号:AO4264E
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 13.5A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9.8 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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