AOD9N50技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOD9N50 是一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于成熟的金属氧化物半导体场效应晶体管架构，其核心设计旨在优化高电压下的导通与开关性能。通过精心的芯片布局和工艺控制，它在TO-252（D-Pak）紧凑的封装内实现了优异的电气特性平衡，为高效率功率转换提供了可靠的半导体解决方案。

这款MOSFET具备500V的高漏源击穿电压（Vdss），使其能够从容应对工业级AC-DC电源中常见的电压应力和浪涌。在25°C壳温条件下，其连续漏极电流（Id）额定值高达9A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压和4.5A电流条件下最大仅为860毫欧，较低的导通损耗直接有助于提升系统整体能效，减少发热。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在24nC @ 10V，结合1160pF @ 25V的输入电容（Ciss），意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，有利于在高频开关电源应用中优化性能。

在接口与参数方面，AOD9N50 采用标准的表面贴装TO-252封装，便于自动化生产并具有良好的散热特性。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±30V的Vgs，增强了应用的鲁棒性。阈值电压Vgs(th)最大值为4.5V @ 250A，确保了良好的噪声免疫能力和易驱动性。器件在壳温（Tc）下的最大功率耗散为178W，结合其-50°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，使其能够在苛刻的环境下稳定运行。对于需要可靠供应链和原厂技术支持的客户，可以通过官方AOS授权代理获取此产品。

凭借其高耐压、低导通电阻和良好的开关特性，AOD9N50非常适用于需要高效能和高可靠性的功率电子领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧开关、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制以及照明系统的电子镇流器和LED驱动器。在这些场景中，它能够有效提升电源的功率密度和转换效率，是工程师设计下一代高能效电力电子产品的优选功率开关器件。

• 制造商产品型号：AOD9N50
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 500V 9A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：500V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：860 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1160pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：178W（Tc）
• 工作温度：-50°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD9N50现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。