AO4296技术参数

AO4296是一款采用AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）先进AlphaSGT技术平台开发的N沟道功率MOSFET。该器件采用优化的单元结构和沟槽栅工艺，在紧凑的8-SOIC封装内实现了优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这一核心指标直接关系到开关电源系统的效率与热性能。其设计旨在降低传导损耗和开关损耗，通过精细的工艺控制，确保了在宽泛的工作温度范围内电气参数的一致性，为高可靠性应用提供了坚实基础。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压(Vdss)和在25°C环境温度下高达13.5A的连续漏极电流(Id)能力。其导通电阻在10V驱动电压、13.5A测试条件下典型值极低，最大值仅为8.3毫欧，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗。栅极驱动特性方面，其阈值电压(Vgs(th))最大值为2.3V，并支持高达±20V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。同时，在10V Vgs下的栅极总电荷(Qg)最大值控制在60nC，结合3130pF的输入电容，有助于实现快速开关并降低驱动电路的负担，提升系统整体频率响应。

在接口与参数层面，AO4296采用标准的表面贴装8-SOIC封装，便于自动化生产并节省PCB空间。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗为3.1W（Ta），展现了强大的环境适应性和鲁棒性。对于需要稳定供应链和深度技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取原厂正品、完整数据手册以及应用设计指导。

基于其性能组合，AO4296非常适用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流和主开关、电机驱动控制电路、各类电源的负载开关以及电池保护模块。其平衡的电压/电流规格和出色的开关特性，使其成为工业设备、通信基础设施、消费类电子电源适配器以及汽车辅助系统中功率开关部分的理想选择，能够在提升能效的同时保障系统的长期稳定运行。

• 型号:AO4296
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.3 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3130 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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