AON6452L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS产品系列中的一员，AON6452L是一款采用先进MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术的N沟道功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的平衡。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（5x6）封装，集成了裸露焊盘以增强散热性能，这对于在高功率密度应用中管理热耗散至关重要。

该MOSFET具备100V的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕度，适用于多种中压场合。其导通电阻特性突出，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(On)）仅为25毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在34nC @ 10V，结合2200pF @ 50V的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关转换，减少开关过程中的能量损失，这对于高频开关应用尤为重要。

在电气参数方面，AON6452L的连续漏极电流额定值在环境温度（Ta）25°C下为6.5A，而在管壳温度（Tc）条件下可达26A，展现了其强大的电流处理能力。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±25V，提供了稳健的驱动兼容性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大值为4V @ 250A，确保了明确的导通与关断状态。其最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下为35W，结合宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），使其能够在苛刻的环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取相关产品与技术信息。

凭借其性能组合，该器件非常适合应用于需要高效功率转换和管理的场景。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、锂离子电池保护板以及各类电源管理系统。其表面贴装型封装和良好的热性能使其成为空间受限且对散热有要求的现代电子设备的理想选择。

• 型号:AON6452L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A/26A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A（Ta），26A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），35W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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