AO4402技术参数

AO4402是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。该芯片采用行业标准的8-SOIC封装，实现了高功率密度与紧凑型表面贴装设计的结合。其核心架构基于优化的单元设计，旨在最大限度地降低导通电阻（Rds(On)）和栅极电荷（Qg），从而在开关应用中实现高效率与低损耗的平衡。

该器件在4.5V驱动电压下，导通电阻典型值低至5.5毫欧（在20A电流条件下），这一特性显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为1.6V，并支持高达±12V的栅源电压，确保了与多种逻辑电平及驱动电路的兼容性，提供了稳定的开关控制。其栅极电荷（Qg）与输入电容（Ciss）经过优化，有助于减少开关过程中的驱动损耗和开关时间，适用于高频开关场景。

在电气参数方面，AO4402具备20V的漏源击穿电压（Vdss）和高达20A的连续漏极电流（Id）承载能力，最大功耗为3.1W。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，保证了在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过AOS中国代理获取该产品的详细资料、样品及采购服务。

凭借其低导通电阻、快速开关特性和稳健的电气性能，这款MOSFET非常适合应用于对效率和空间有严格要求的领域。其主要应用场景包括笔记本电脑、平板电脑等便携式设备的DC-DC电源转换电路、负载开关、电池保护电路以及低压电机驱动等。在这些应用中，它能够有效管理功率分配，提升终端产品的续航能力和热性能。

• 制造商产品型号：AO4402
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 20V 20A 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：20V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.5 毫欧 @ 20A，4.5V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：43nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4630pF @ 10V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SOIC
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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