AO4480技术参数

AO4480是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的平面MOSFET技术制造，封装形式为8-SOIC表面贴装。该器件设计用于在紧凑的封装内提供优异的功率处理能力和开关性能，其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和制造流程，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。

该MOSFET的漏源击穿电压（Vdss）为40V，在25°C环境温度下可支持高达14A的连续漏极电流，使其能够处理可观的功率水平。其关键性能指标体现在极低的导通损耗上，在10V栅极驱动电压、14A漏极电流条件下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至11.5毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或数字信号处理器直接驱动，简化了驱动电路设计。

在动态特性方面，AO4480的栅极总电荷（Qg）在10V Vgs下最大为22nC，结合1920pF的输入电容（Ciss），表明其具有较快的开关速度，有助于降低开关过程中的功率损耗，尤其适用于高频开关应用。其栅源电压可承受±20V，提供了较强的抗栅极过压能力。器件的最大功耗为3.1W（Ta），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购与咨询。

凭借40V的耐压、14A的电流能力以及低至毫欧级的导通电阻，这款MOSFET非常适合用于需要高效功率转换和控制的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动电路（如无人机、小型电动工具）、电池保护与管理系统（BMS）中的负载开关，以及各类电源管理单元。其8-SOIC封装兼容自动化贴装工艺，有利于实现高密度、高可靠性的PCB布局，满足现代电子设备对小型化和高性能的双重要求。

• 型号:AO4480
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 14A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1920 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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