AOT12N40L技术参数

AOT12N40L 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET，采用成熟的平面硅技术制造，封装于标准 TO-220 通孔封装中。该器件专为高效率、高可靠性的功率开关应用而设计，其核心架构基于优化的单元结构，旨在实现低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，从而在高压工作条件下有效降低传导损耗和开关损耗。

该 MOSFET 具备 400V 的漏源击穿电压 (Vdss)，为离线式开关电源、功率因数校正等应用提供了充足的电压裕量，增强了系统在浪涌电压下的可靠性。在 25°C 壳温条件下，其连续漏极电流 (Id) 额定值高达 11A，配合 184W 的最大功率耗散能力，使其能够处理可观的功率水平。其导通电阻在典型工作条件下表现出色，在 Vgs=10V、Id=6A 时，Rds(on) 最大值仅为 590 毫欧，这直接转化为更低的导通压降和更高的能源转换效率。

在动态特性方面，AOT12N40L 的栅极电荷 (Qg) 在 Vgs=10V 时最大值为 21nC，输入电容 (Ciss) 在 Vds=25V 时最大值为 1110pF，这些参数共同决定了其开关速度和对栅极驱动电路的要求。适中的栅极电荷有助于简化驱动设计，并能在高频开关应用中保持良好的性能。其栅源阈值电压 (Vgs(th)) 最大为 4.5V，而栅源电压可承受 ±30V，提供了较宽的驱动安全范围和良好的抗干扰能力。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理商 进行采购与咨询。

凭借其稳健的电气参数和 TO-220 封装的便利性，该器件非常适合应用于工业级开关电源 (SMPS)、不间断电源 (UPS)、电机驱动控制、照明镇流器以及 AC-DC 转换器等场景。其宽泛的工作结温范围 (-55°C 至 150°C) 确保了其在苛刻环境下的稳定运行，是工程师构建高效、紧凑且可靠的功率电子系统的优选元件之一。

• 型号:AOT12N40L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 11A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:590 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:184W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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