AO4484L技术参数

作为一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计生产的N沟道功率MOSFET，AO4484L采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关控制。该器件基于成熟的平面工艺，通过优化的单元设计和制造流程，在紧凑的封装内实现了优异的电气性能平衡，为工程师在空间受限的应用中提供了可靠的功率管理解决方案。

在电气特性方面，该器件展现出显著的优势。其漏源击穿电压(Vdss)高达40V，确保了在常见低压系统中具备充足的电压裕量，提升了系统的可靠性。同时，在25°C环境温度下，其连续漏极电流(Id)额定值可达10A，赋予了其处理中等功率等级的能力。尤为关键的是其低导通电阻特性，在10V栅极驱动电压和10A漏极电流条件下，导通电阻(Rds(on))典型值仅为10毫欧。这一低阻值直接转化为更低的导通损耗和更少的热量产生，对于提升系统整体效率至关重要。

该MOSFET的开关性能同样经过精心优化。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为3V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或逻辑电路直接驱动，简化了驱动电路设计。总栅极电荷(Qg)在10V条件下最大为37nC，结合1950pF的输入电容(Ciss)，意味着其具有较快的开关速度和较低的开关损耗，有助于在高频开关应用中维持高效率。器件采用标准的8-SOIC表面贴装封装，便于自动化生产，其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适应严苛的工作环境。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS代理获取相关服务与产品信息。

凭借40V的耐压、10A的电流能力以及极低的导通电阻，AO4484L非常适合应用于对效率和功率密度有要求的场合。典型应用包括DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、电池保护板以及各类电源管理模块。其稳健的性能使其成为工业控制、消费电子和通信设备中功率路径管理的理想选择之一。

• 型号:AO4484L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 10A 8SOIC
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:37 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1950 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.7W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO4484L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。