AOD5T40P技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOD5T40P 是一款采用N沟道平面MOSFET技术的功率半导体器件，其核心设计旨在实现高压环境下的高效开关与功率处理。该器件采用成熟的TO-252（D-Pak）表面贴装封装，在紧凑的物理尺寸内集成了高耐压与低导通损耗的特性，其架构优化了电流通路与热传导路径，为系统设计提供了可靠的功率开关解决方案。

该MOSFET的关键性能体现在其400V的漏源击穿电压(Vdss)与3.9A的连续漏极电流(Id)能力上，使其能够稳定应对离线式电源、功率因数校正等应用中的高压应力。其导通电阻(Rds(on))在10V驱动电压、1A电流条件下典型值为1.45欧姆，这一特性有助于降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。同时，最大栅极电荷(Qg)仅为9nC，结合较低的输入电容，意味着器件具备快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，尤其适用于高频开关电源拓扑。

在接口与参数方面，AOD5T40P 的标准驱动电压为10V，栅源电压(Vgs)耐受范围达±30V，提供了宽裕的驱动设计余量。其工作结温范围覆盖-55°C至150°C，并在壳温(Tc)条件下最大功率耗散可达52W，展现了良好的热性能。对于需要可靠元器件供应链的客户，可以通过官方授权的AOS代理商获取详细的技术支持与供货信息。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计规格在诸多现有系统中仍具有参考与分析价值。

基于其高压、中电流及快速开关的特性，此器件典型应用于AC-DC开关电源的初级侧开关、LED照明驱动、电机控制辅助电源以及各类离线式变换器中。其TO-252封装兼容自动化贴装工艺，适合空间受限但对散热有一定要求的消费电子与工业电源模块设计，是构建高效、紧凑型功率转换系统的经典元件选择之一。

• 制造商产品型号：AOD5T40P
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：400V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：3.9A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.45 欧姆 @ 1A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：9nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±30V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：273pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：52W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-252，（D-Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD5T40P现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。