AO6400_201技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率器件，AO6400_201采用了先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心是一个N沟道增强型结构。该架构基于成熟的平面工艺，在硅衬底上实现了优化的单元密度与沟道设计，旨在平衡导通电阻、开关速度与栅极电荷等关键参数，从而在30V的中低压工作范围内提供卓越的功率转换效率与热性能。

该器件在电气特性上表现出色，其最大连续漏极电流(Id)在25°C环境温度下可达6.9A，展现了强大的电流处理能力。其导通电阻(Rds(On))在10V栅源驱动电压(Vgs)和6.9A电流条件下，最大值仅为28毫欧，这一低导通电阻特性直接降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为1.45V，配合极低的栅极电荷(Qg，最大值7nC @ 4.5V)和输入电容(Ciss，最大值630pF @ 15V)，意味着它能够被快速驱动，显著减少了开关过程中的开关损耗和驱动电路的设计复杂度，非常适合高频开关应用。

在接口与封装方面，AO6400_201采用紧凑的6-TSOP表面贴装封装，具有良好的空间利用率，便于自动化生产。其漏源击穿电压(Vdss)为30V，栅源电压(Vgs)最大耐受值为±12V，提供了安全的操作裕量。器件的工作结温范围宽达-55°C至150°C，最大功耗为2W（Ta），确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要稳定供应链的客户，可以通过官方AOS授权代理渠道获取原装正品和技术支持。

凭借其综合性能，该MOSFET广泛应用于各类需要高效功率管理的场景。它是DC-DC同步整流、负载开关、电机驱动（尤其是低压有刷直流或步进电机）以及电池保护电路中的理想选择。在服务器电源、笔记本电脑适配器、便携式设备以及工业自动化控制模块中，都能发挥其低损耗、高频率响应的优势，助力设计工程师实现更高功率密度和更优热管理的解决方案。

• 制造商产品型号：AO6400_201
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 6.9A 6TSOP
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6.9A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：28 毫欧 @ 6.9A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.45V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：630pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：6-TSOP
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AO6400_201现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。