AON6734技术参数

AON6734是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于紧凑的8-DFN-EP（5x6）表面贴装型封装内。其核心架构旨在实现高功率密度与高效率的平衡，通过优化的单元设计和低电阻金属化工艺，显著降低了导通损耗和开关损耗，为电源管理应用提供了坚实的硬件基础。

该器件具备30V的漏源电压（Vdss）额定值，提供了稳健的电压耐受能力。其导通电阻表现突出，在10V驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大导通电阻（Rds(on)）仅为2.8毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通压降和功率损耗，提升了系统整体能效。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在45nC @ 10V，结合1900pF @ 15V的输入电容（Ciss），有助于实现快速的开关切换，减少开关过程中的能量损失，特别适合高频开关应用。

在电流处理能力方面，AON6734根据散热条件不同，连续漏极电流（Id）额定值分别为37A（环境温度Ta）和85A（壳温Tc），展现了强大的电流承载潜力。其驱动门限电压（Vgs(th)）最大值为2V @ 250A，并与±12V的最大栅源电压相结合，确保了与常见逻辑电平或驱动电路的兼容性与可靠性。器件支持-55°C至150°C的宽结温（TJ）工作范围，并具有高达32.2W（Tc）的功率耗散能力，使其能够在严苛的热环境下稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，建议通过官方授权的AOS一级代理进行采购咨询。

综合其电气参数与封装特性，AON6734非常适用于对空间和效率有高要求的DC-DC转换器、电机驱动、电池保护电路以及负载开关等应用场景。其优异的Rds(on)与Qg组合，使其成为同步整流、服务器电源和各类便携式设备中功率路径管理的理想选择，有助于设计出更紧凑、更高效的电源解决方案。

• 型号:AON6734
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 37A/85A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Ta），85A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），32.2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6734现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。