

AO7404技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:SC-70-3
- 技术参数:MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
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AO7404技术参数详情说明:
AO7404是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进平面MOSFET工艺制造的N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用紧凑的SC-70-3(SOT-323)表面贴装封装,其核心设计旨在实现低导通电阻与低栅极电荷的优异平衡,从而在开关应用中显著降低传导损耗和开关损耗,提升整体能效。
该MOSFET的漏源击穿电压(Vdss)为20V,在环境温度25°C下可支持高达1A的连续漏极电流。其关键特性在于极低的驱动门限和优异的开关性能。栅源阈值电压(Vgs(th))最大值为800mV,结合1.8V(最小)至4.5V(最大)的驱动电压范围,使其能够与多种低压逻辑电平(如1.8V、3.3V、5V)直接兼容,无需额外的电平转换电路,简化了系统设计。在4.5V栅极驱动下,其导通电阻(Rds(on))典型值远低于225毫欧,确保了在1A电流下的低压降和低功耗。
在动态参数方面,在4.5V Vgs下的总栅极电荷(Qg)最大值仅为1.57nC,同时在10V Vds下的输入电容(Ciss)最大值为101pF。这些极低的电荷和电容参数共同决定了其卓越的开关速度,能够实现高频开关操作,并降低驱动电路的功率需求。器件的栅源电压可承受±8V,提供了良好的鲁棒性。其最大功耗为350mW,结温工作范围覆盖-55°C至150°C,适用于宽温环境下的稳定工作。对于需要可靠供应链支持的客户,可以通过官方指定的AOS总代理获取相关技术支持和采购信息。
基于其小尺寸、低电压驱动和高效率的特点,AO7404非常适合于空间受限且对能效要求苛刻的便携式电子设备和低功率系统。典型应用包括电池供电设备中的负载开关、电源管理单元(PMU)的功率路径控制、DC-DC转换器的同步整流或低侧开关,以及便携设备中电机驱动、LED背光驱动等电路的功率切换。其出色的性能使其成为需要在有限空间内实现高效功率控制的理想解决方案。
- 制造商产品型号:AO7404
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 20V 1A SC70-3
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):20V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):1A(Ta)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):1.8V,4.5V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):225 毫欧 @ 1A,4.5V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):800mV @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):1.57nC @ 4.5V
- Vgs(最大值):±8V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):101pF @ 10V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):350mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:SC-70-3
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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