AON6936技术参数

AON6936是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的双N沟道功率MOSFET阵列，采用先进的8-PowerVDFN封装，专为高密度、高效率的功率转换应用而优化。其核心架构集成了两个独立的N沟道MOSFET，构成一个紧凑的半桥拓扑基础单元，这种集成设计显著减少了PCB板上的元件数量和布线复杂度，同时提升了系统的功率密度和可靠性。该器件基于逻辑电平门驱动设计，确保了与低电压控制信号（如3.3V或5V微控制器）的兼容性，简化了驱动电路。

在电气性能方面，AON6936展现出卓越的导通特性，其导通电阻（Rds(on)）在10V Vgs和20A Id条件下典型值低至4.9毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体效率。其栅极电荷（Qg）最大值仅为24nC @ 10V，结合较低的输入电容（Ciss），意味着开关速度更快，开关损耗更低，特别适合高频开关应用。该器件具备30V的漏源击穿电压（Vdss），为12V或24V总线系统提供了充足的安全裕量。其连续漏极电流（Id）在25°C下分别标定为22A和40A，并支持高达150°C的结温（TJ）工作，展现了强大的电流处理能力和宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）。

该芯片采用表面贴装型封装，热阻特性经过优化，有助于功率耗散。其最大功耗分别为3.6W和4.3W，在实际应用中，通过良好的PCB热设计可以充分发挥其性能潜力。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS授权代理获取该产品的详细信息、设计资源及采购渠道。

凭借其低导通电阻、快速开关能力和紧凑的封装，AON6936非常适合应用于对空间和效率有严苛要求的场景。典型应用包括但不限于同步整流DC-DC转换器（如降压、升压拓扑）、电机驱动控制中的H桥电路、电池保护与管理系统，以及各类负载开关。它为工程师提供了一个高性能、高集成度的解决方案，有助于简化设计流程并提升终端产品的市场竞争力。

• 制造商产品型号：AON6936
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 22A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 个 N 通道（半桥）
• FET功能：逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：22A，40A
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：24nC @ 10V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：984pF @ 15V
• 功率-最大值：3.6W，4.3W
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-PowerVDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6936现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。