AO7411技术参数

AO7411是一款由Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 设计制造的P沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术。该器件采用紧凑的SC-70-6封装，实现了高功率密度与小型化的平衡，其核心设计旨在提供高效的功率开关性能。其P沟道架构简化了在许多低压应用中的驱动电路设计，特别是在电源轨需要由逻辑电平信号直接控制的场景中，能够有效减少外围元件数量，优化系统布局。

该器件具备多项突出的电气特性。其漏源电压(Vdss)为20V，适用于常见的12V及以下低压系统。在25°C环境温度下，连续漏极电流(Id)额定值高达1.8A，提供了可观的电流处理能力。其导通电阻(RdsOn)是关键性能指标，在驱动电压(Vgs)为4.5V、漏极电流(Id)为1.8A的条件下，最大值仅为120毫欧，这直接转化为较低的导通损耗和更高的系统效率。其栅极阈值电压(Vgs(th))最大值仅为800mV，且驱动电压范围覆盖1.8V至4.5V，使其能够与绝大多数现代微控制器和低电压逻辑电路完美兼容，实现高效、可靠的逻辑电平驱动。

在动态参数方面，栅极电荷(Qg)在Vgs=4.5V时最大值仅为6.24nC，结合524pF的输入电容(Ciss)，共同决定了其极快的开关速度，有助于降低开关损耗，尤其适用于高频开关应用。器件的栅源电压(Vgs)最大耐受值为±8V，提供了安全的驱动裕量。其最大功率耗散为630mW，结合-55°C至150°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过授权的AOS代理获取原厂正品和技术支持。

基于其优异的性能组合，AO7411非常适合空间受限且对效率有要求的各类便携式和嵌入式电子设备。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的负载开关、电源路径管理和电池保护电路；在DC-DC转换器中作为同步整流的续流开关或主开关；以及用于USB端口的电源开关和各类低压电机驱动控制。其表面贴装型SC-70-6封装符合现代自动化生产要求，是工程师进行高密度PCB设计的理想选择。

• 型号:AO7411
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:SC-70-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 1.8A SC70-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 1.8A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:524 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:630mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SC-70-6
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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