AOB095A60L技术参数

AOB095A60L 是一款采用先进的 aMOS5 技术平台开发的 N 沟道功率 MOSFET。该器件基于优化的垂直沟槽栅极架构，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心设计理念是通过精密的单元结构和先进的制造工艺，在维持高阻断电压能力的同时，显著降低单位面积的导通电阻，从而提升功率转换系统的整体效率。

该器件具备多项突出的电气特性。高达600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及消费类电源中常见的交流线路电压波动与开关尖峰。在25°C壳温下，其连续漏极电流（Id）额定值可达38A，展现了强大的电流处理能力。尤为关键的是，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（Rds(on)）典型值仅为95毫欧（在19A条件下测量），这一低阻抗特性直接转化为更低的导通损耗和发热量。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值控制在78nC，有助于降低开关过程中的驱动损耗，提升高频开关性能，这对于追求高效率和高功率密度的开关电源设计至关重要。

在封装与接口方面，AOB095A60L采用了行业标准的TO-263（D2Pak）表面贴装封装。这种封装形式具有良好的散热性能和机械强度，其金属背板便于安装散热器以耗散高达378W（Tc）的热量，确保器件在重载条件下稳定工作。其栅极驱动电压范围宽泛，最大可承受±20V的电压，为驱动电路设计提供了灵活性。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于严苛的环境。对于需要可靠供应链和技术支持的客户，可以通过AOS授权代理获取该产品及相关设计资源。

凭借其高耐压、大电流、低导通电阻和良好的开关特性，AOB095A60L非常适合于要求高效率和高可靠性的功率电子应用。其主要应用场景包括服务器/通信设备的开关电源（SMPS）初级侧PFC和DC-DC转换电路、工业电机驱动与变频器中的功率开关、不间断电源（UPS）系统以及大功率LED照明驱动。在这些领域中，它能够有效提升系统能效，减小散热器尺寸，最终实现更紧凑、更可靠的电源解决方案。

• 型号:AOB095A60L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 38A TO263
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:95 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:78 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4010 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:378W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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