AON7220技术参数

AON7220是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术制造。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装封装，专为在有限空间内要求高效率和高功率密度的应用而优化。其核心设计旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能，这得益于其优化的单元结构和沟槽工艺。

在电气特性方面，该器件具有25V的漏源电压（Vdss）额定值，并提供高达37A（环境温度Ta）或50A（壳温Tc）的连续漏极电流处理能力，展现出强大的载流性能。其最突出的特性之一是极低的导通电阻（Rds(on)），在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为3毫欧。这一特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在52nC @ 10V，有助于降低开关损耗并简化驱动电路设计，使开关频率得以提升。

该MOSFET的驱动门限电压（Vgs(th)）最大值为1.8V @ 250A，并支持高达±12V的栅源电压，提供了良好的噪声容限和驱动灵活性。其输入电容（Ciss）在12.5V Vds下最大值为3554pF，是评估开关速度的重要参数。器件在环境温度下的最大功率耗散为6.2W，而在壳温条件下可达83W，确保了在严苛工况下的热可靠性。其宽泛的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，使其能够适应工业级和汽车级应用环境。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理获取相关技术支持和产品信息。

综合其高电流能力、超低导通电阻、快速开关特性以及坚固的封装，AON7220非常适合应用于对效率和功率密度有苛刻要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流电路、电机驱动控制、锂离子电池保护模块以及各类负载开关。其设计能够有效降低系统整体功耗和温升，是构建高效、紧凑型电源解决方案的关键元器件。需要注意的是，此型号目前已处于停产状态，在新设计选型时应考虑其替代产品。

• 型号:AON7220
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 37A/50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3554 pF @ 12.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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