AOB210L技术参数

AOB210L 是一款由 AOS (Alpha & Omega Semiconductor Inc.) 设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的平面 MOSFET 技术制造。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和低电阻金属化层，实现了在紧凑的封装内极低的导通电阻与出色的开关性能平衡。该器件采用 TO-263 (DPak) 表面贴装封装，具有良好的机械强度和散热能力，便于自动化生产并满足高功率密度应用的需求。

该 MOSFET 的突出特性在于其卓越的电气参数。其漏源电压 (Vdss) 额定为 30V，适用于常见的低压直流母线环境。在 25°C 环境温度下，连续漏极电流 (Id) 额定值为 20A，而在管壳温度 (Tc) 条件下，该值可高达 105A，展现了其强大的峰值电流处理能力。其导通电阻 (Rds(on)) 在 10V 栅极驱动电压 (Vgs) 和 20A 漏极电流下，最大值仅为 2.6 毫欧，这一极低的 Rds(on) 值直接转化为导通期间更低的功率损耗和更高的系统效率。此外，其栅极阈值电压 (Vgs(th)) 最大值为 2.2V，确保了与标准逻辑电平或低电压 PWM 控制器的良好兼容性。

在动态特性方面，AOB210L 同样表现出色。其最大栅极电荷 (Qg) 在 10V Vgs 下为 58nC，结合 4300pF 的输入电容 (Ciss)，意味着较快的开关速度和较低的驱动损耗，有助于提升开关电源的开关频率并减小磁性元件尺寸。器件支持高达 ±20V 的栅源电压，提供了充足的驱动裕量。其工作结温范围宽达 -55°C 至 175°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。最大功率耗散在管壳温度下可达 176W，配合 DPak 封装优异的散热性能，使其能够稳定处理高功率脉冲。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方授权的 AOS中国代理 获取产品技术与供货信息。

凭借其低导通电阻、高电流能力和快速开关特性，AOB210L 非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场合。典型应用包括服务器、通信设备的 DC-DC 转换器中的同步整流和负载开关，电动工具、无人机电调中的电机驱动控制，以及汽车辅助系统（如 LED 照明、风扇控制）中的功率开关。其稳健的设计使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOB210L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 20A/105A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：58nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4300pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta），176W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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