

AOD464技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-252,(D-Pak)
- 技术参数:MOSFET N-CH 105V 40A TO252
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AOD464技术参数详情说明:
AOD464是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET(金属氧化物)技术构建,其核心架构旨在实现高电压下的高效功率切换与低损耗。其105V的漏源电压(Vdss)额定值提供了充足的电压裕量,确保了在严苛的工业与汽车环境下的可靠运行,而40A(Tc)的连续漏极电流能力则使其能够承载显著的功率流。
该MOSFET的关键优势在于其优异的导通特性与开关性能。在10V驱动电压下,其导通电阻(Rds(On))典型值低至28毫欧(在20A条件下测量),这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时,其栅极电荷(Qg)最大值仅为46nC @ 10V,结合2445pF @ 25V的输入电容(Ciss),意味着器件具备快速的开关速度,有助于降低开关损耗并提升高频应用的性能。其栅源电压(Vgs)支持高达±25V,提供了稳健的驱动兼容性。对于需要可靠供应链的客户,可以通过官方AOS授权代理获取原装正品。
在电气参数方面,AOD464展现了宽广的工作适应性。其阈值电压Vgs(th)最大值为4V @ 250A,确保了良好的噪声抑制能力。器件的功率处理能力出色,在壳温(Tc)条件下最大功率耗散可达100W,而结温(TJ)工作范围宽达-55°C至175°C,使其能够应对高温、高功率密度的应用挑战。其封装形式为行业标准的表面贴装型TO-252(D-Pak),该封装在提供优良散热性能的同时,也便于自动化生产装配。
综合其高耐压、大电流、低导通电阻和快速开关的特性,AOD464非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换场景。典型应用包括开关电源(SMPS)中的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动控制、电池保护电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。其稳健的设计和宽温工作范围也使其成为汽车电子系统中辅助电源和负载开关的潜在优选方案。
- 制造商产品型号:AOD464
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 105V 40A TO252
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):105V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):40A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):28 毫欧 @ 20A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):46nC @ 10V
- Vgs(最大值):±25V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2445pF @ 25V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.3W(Ta),100W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:TO-252,(D-Pak)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
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