AOB2502L技术参数

AOB2502L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术制造。该器件采用TO-263（D2Pak）表面贴装封装，专为需要高功率密度和高效率的开关应用而设计，其核心架构优化了电流传导路径和热管理能力，确保了在严苛工作条件下的可靠性与稳定性。

该器件具备出色的电气特性，其150V的漏源电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达106A的连续漏极电流（Id）能力，使其能够处理可观的功率等级。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下最大仅为10.7毫欧，这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在60nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于实现快速开关并降低驱动电路的损耗，这对于高频开关电源设计至关重要。

在接口与参数方面，AOB2502L的栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了宽裕的驱动电压容限。其阈值电压（Vgs(th)）最大为5.1V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力。器件最大功率耗散能力达到277W（Tc），结合其TO-263封装优良的散热特性，能够有效管理开关过程中产生的热量。其宽泛的工作结温（TJ）范围从-55°C延伸至150°C，使其能够适应工业、汽车及通信基础设施等各类环境要求。

基于其高电压、大电流、低损耗和坚固的封装特性，AOB2502L非常适用于服务器/数据中心电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）、光伏逆变器以及电动汽车车载充电机（OBC）等领域的功率转换与开关电路。对于需要可靠元器件供应和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关设计资源。

• 型号:AOB2502L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 150V 106A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:150 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):106A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3010 pF @ 75 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:277W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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