AON7760技术参数

AON7760是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的AlphaMOS技术平台。该器件采用紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）封装，专为表面贴装应用而优化，能够在-55°C至150°C的结温范围内稳定工作。其核心设计旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能，在10V栅极驱动电压下，导通电阻典型值低至2毫欧（在20A条件下测量），这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。

在电气特性方面，AON7760的额定漏源电压为25V，能够满足多种中低压应用场景的需求。其连续漏极电流在环境温度下为33A，在管壳温度下可达75A，展现出强大的电流处理能力。该MOSFET的栅极阈值电压最大值为2.2V，标准栅极驱动电压为4.5V至10V，易于驱动并与常见逻辑电平兼容。同时，其栅极电荷（Qg）在10V下最大值仅为76nC，输入电容（Ciss）在12.5V下最大值为5520pF，这些低电荷特性有助于显著降低开关损耗，提升高频开关应用的性能。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过AOS总代理获取相关的技术支持和供货信息。

该器件的接口参数设计平衡了性能与可靠性。其最大栅源电压为±16V，提供了安全的操作裕量。在散热方面，其最大功率耗散在环境温度下为4.1W，在管壳温度下可达34.5W，配合带有裸露焊盘的DFN封装，有利于热量通过PCB高效散发，确保器件在高功率密度应用中稳定运行。这些参数共同塑造了其在空间受限且对热管理要求严格的设计中的优势。

基于其高性能指标，AON7760非常适用于需要高效率和高功率密度的DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护电路等场景。尤其是在同步整流、服务器电源和便携式设备的电源管理模块中，其低导通电阻和快速开关特性能够有效提升整体能效，减少热量产生，从而帮助终端产品实现更紧凑的设计和更长的运行时间。

• 型号:AON7760
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 33A/75A 8DFN
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Ta），75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5520 pF @ 12.5 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），34.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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