

AOB256L技术参数
- 制造厂商:AOS(Alpha and Omega Semiconductor,美国万代半导体)
- 类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-263(DPak)
- 技术参数:MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO263
- 专注销售AOS电子元器件,承诺原装!现货当天发货!
- 您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购

AOB256L技术参数详情说明:
AOB256L是AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc.)推出的一款采用先进平面MOSFET技术的N沟道功率器件。该芯片采用TO-263(DPak)表面贴装封装,专为在紧凑空间内实现高效功率转换与开关控制而设计。其核心架构基于优化的单元设计,在保证高耐压的同时,有效降低了导通电阻和栅极电荷,从而在开关频率和导通损耗之间取得了卓越的平衡。
该器件具备150V的高漏源电压(Vdss)额定值,提供了宽裕的安全工作余量。其电流处理能力表现出色,在25°C环境温度下连续漏极电流(Id)为3A,而在管壳温度(Tc)条件下可高达19A,这得益于其优异的封装热性能和高达83W(Tc)的功率耗散能力。其导通电阻(Rds(On))在10V驱动电压、10A电流条件下最大值仅为85毫欧,配合低至22nC(@10V)的栅极总电荷(Qg),共同确保了极低的导通损耗和快速的开关切换速度,有助于提升系统整体效率。
在电气参数方面,AOB256L的栅极阈值电压(Vgs(th))最大值为2.8V,标准驱动电压范围为4.5V至10V,最大栅源电压(Vgs)可承受±20V,这使其与主流低压控制器具有良好的兼容性,并具备较强的驱动抗干扰能力。其输入电容(Ciss)在75V电压下最大值为1165pF,结合低Qg特性,有效降低了驱动电路的负担。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C,能够适应严苛的工业环境要求。对于需要稳定供货和技术支持的客户,可以通过官方授权的AOS总代理获取该产品及相关服务。
凭借其高耐压、低导通电阻、快速开关特性以及TO-263封装带来的良好散热能力,AOB256L非常适用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括直流-直流转换器中的同步整流和开关拓扑、电机驱动控制电路、不间断电源(UPS)系统以及各类工业电源和逆变器。它是在空间受限且对效率和可靠性有较高要求的开关电源和功率驱动设计中的理想选择。
- 制造商产品型号:AOB256L
- 制造商:AOS(Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体)
- 描述:MOSFET N-CH 150V 3A/19A TO263
- 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
- 产品系列:-
- 零件状态:有源
- FET类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):150V
- 25°C时电流-连续漏极(Id):3A(Ta),19A(Tc)
- 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):85 毫欧 @ 10A,10V
- 不同Id时Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值):22nC @ 10V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1165pF @ 75V
- FET功能:-
- 功率耗散(最大值):2.1W(Ta),83W(Tc)
- 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 器件封装:TO-263(DPak)
- 更多产品技术参数细节,请下载技术文档后获取。
作为AOS代理商的战略合作伙伴,我们长期提供AOB256L现货供应,支持技术选型与替代方案,欢迎咨询获取最新价格及资料。
您可能对以下的类似型号也感兴趣:













