AON6764技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AON6764采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心设计旨在实现极低的导通损耗和高效的开关性能。该器件基于优化的单元结构，能够在紧凑的封装内提供高达85A的连续漏极电流承载能力，这得益于其优异的散热设计和低至2.8毫欧的导通电阻（在10V Vgs、20A Id条件下测得），显著降低了功率转换应用中的传导损耗。

在功能特性上，AON6764集成了肖特基体二极管，这有助于改善开关过程中的反向恢复特性，减少电压尖峰和开关噪声，从而提升系统在同步整流等场景下的可靠性。其栅极驱动设计兼容性强，标准4.5V至10V的驱动电压范围使其易于被主流控制器驱动，同时最大栅极电荷（Qg）仅为37nC，有助于实现快速的开关速度并降低驱动电路的功率需求。对于需要稳定供应链的客户，可以通过AOS总代理获取相关的技术支持和供货信息。

该芯片采用表面贴装型的8-DFN（5x6）封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。其关键电气参数包括30V的漏源电压（Vdss）额定值，确保了在常见低压总线应用中的安全裕量；工作结温范围宽达-55°C至150°C，适应严苛的环境条件。输入电容（Ciss）最大值为2120pF，结合低栅极电荷，共同优化了高频开关下的动态性能。

凭借其高电流处理能力、低导通电阻和快速开关特性，AON6764非常适用于需要高效功率管理的领域，例如服务器和通信设备的DC-DC转换器、电机驱动控制、锂电池保护电路以及各类电源模块中的同步整流和负载开关。尽管该产品目前已处于停产状态，但其设计所体现的高性能指标仍为相关应用提供了重要的技术参考。

• 制造商产品型号：AON6764
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 85A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：85A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.8 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：37nC @ 1V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2120pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：42W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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