AOB262L技术参数

制造厂商：AOS（Alpha and Omega Semiconductor，美国万代半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-263（DPak）
技术参数：MOSFET N-CH 60V 20A/140A TO263
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AOB262L技术参数详情说明：

AOB262L 是一款由 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263（DPak）表面贴装封装。该器件基于成熟的平面 MOSFET 技术构建，其核心设计旨在实现高电流处理能力与低导通损耗之间的优异平衡。其 60V 的漏源击穿电压（Vdss）为开关应用提供了充足的电压裕量，确保在常见 48V 及以下总线系统中的可靠运行。

该 MOSFET 的突出特性在于其卓越的导通性能。在结温（Tc）条件下，其连续漏极电流（Id）高达 140A，展现出强大的峰值电流处理能力；而在环境温度（Ta）下，其额定电流为 20A，适用于持续工作场景。其导通电阻（Rds(On)）在 10V 栅极驱动电压（Vgs）和 20A 漏极电流下典型值仅为 2.8 毫欧，这一极低的阻抗直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 3.2V，配合 ±20V 的最大栅源电压，使其既能与标准逻辑电平兼容，又具备良好的抗干扰能力。

在动态特性方面，在 10V Vgs 下的栅极总电荷（Qg）最大值为 115nC，结合 30V Vds 下最大 9800pF 的输入电容（Ciss），表明其开关速度较快，有助于降低高频开关应用中的开关损耗。其封装形式为 TO-263，这种封装具有良好的热性能，结合高达 333W（Tc）的最大功率耗散能力，使得热量能够被高效导出。其宽广的工作结温范围（-55°C 至 175°C）确保了器件在苛刻环境下的稳定性和耐用性。对于需要可靠供应链支持的客户，可以通过官方指定的 AOS总代理获取相关技术支持和供货信息。

综合其电气参数，AOB262L 非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场合。其高电流、低导通电阻的特性使其成为同步整流、电机驱动、DC-DC 转换器（尤其是降压和半桥拓扑）中理想的高侧或低侧开关。在工业电源、通信设备电源模块以及电动工具等产品中，该器件能够有效提升整体能效和功率输出能力。尽管其零件状态标注为停产，但其参数设计代表了该电压等级下功率 MOSFET 的一种经典性能标杆。