AOB298L技术参数

AOB298L 是 AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的平面 MOSFET 技术制造，封装于 TO-263（DPak）表面贴装封装中。该器件设计用于在开关电源、电机驱动和功率转换等应用中实现高效、可靠的功率开关功能。其核心架构基于成熟的硅基工艺，通过优化的单元设计和制造工艺，在导通电阻、栅极电荷和开关速度等关键参数之间取得了出色的平衡。

该 MOSFET 的显著特性在于其优异的电气性能组合。它具备 100V 的漏源击穿电压（Vdss），提供了良好的电压裕量，适用于离线式电源的初级侧或 DC-DC 转换器的高压侧。其导通电阻（Rds(on)）在 10V 栅极驱动电压和 20A 漏极电流条件下，最大值仅为 14.5 毫欧，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为 27nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），有助于降低栅极驱动损耗并提升开关频率潜力，从而允许设计更紧凑的磁性元件。

在接口与参数方面，AOB298L 提供了灵活的驱动和散热选项。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为 4.1V，标准逻辑电平驱动即可可靠开启，而最大栅源电压（Vgs）为 ±20V，提供了充足的驱动安全边际。电流处理能力突出，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流（Id）高达 58A，在环境温度（Ta）下为 9A，配合 TO-263 封装出色的热性能（最大功率耗散 Tc 条件下为 100W），使其能够应对高电流脉冲和持续的功率耗散。其宽泛的结温工作范围（-55°C ~ 175°C）确保了在苛刻环境下的稳定运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 渠道获取产品、资料及设计协助。

基于上述特性，AOB298L 非常适合于多种中高功率应用场景。在开关电源领域，它是功率因数校正（PFC）电路、正激或反激式转换器中主开关管的理想选择。在电机控制方面，可用于有刷直流电机或步进电机的 H 桥驱动电路，实现高效的速度和方向控制。此外，它也适用于不间断电源（UPS）、逆变器、电池保护电路以及各类工业级 DC-DC 转换模块，为系统设计师提供了一个在性能、可靠性和成本方面均衡的优秀功率开关解决方案。

• 型号:AOB298L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 9A/58A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Ta），58A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:14.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:27 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1670 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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