AOB264L技术参数

AOB264L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-263（DPak）封装的高性能N沟道功率MOSFET。该器件基于成熟的平面MOSFET技术构建，其核心设计旨在实现高电压下的低导通损耗与高效率开关。其60V的漏源击穿电压（Vdss）为系统提供了稳健的耐压裕量，而在10V栅极驱动下，仅3毫欧（@20A）的导通电阻（Rds(on)）是其架构优势的直接体现，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效。

在电气特性方面，该器件展现出优异的电流处理能力。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为19A；当借助封装良好的热界面（如散热器）将结温控制在合理范围时，基于管壳温度（Tc）的额定电流可高达140A，这使其非常适合处理高脉冲或瞬态负载。其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为3.2V，与标准逻辑电平驱动兼容性良好，而最大栅极电荷（Qg）仅为94nC（@10V），结合8400pF的输入电容（Ciss），共同决定了其快速的开关特性，有助于降低开关损耗并提升工作频率。

该MOSFET的接口设计兼顾了可靠性与易用性。其栅极可承受±20V的电压，提供了较强的抗干扰能力。器件采用表面贴装型TO-263封装，这种封装具有优异的热性能，其最大功率耗散在管壳温度（Tc）条件下可达333W，便于通过PCB铜箔或外部散热器进行高效的热管理，确保器件在-55°C至175°C的宽结温（TJ）范围内稳定工作。对于需要可靠供应链支持的批量应用，建议通过官方AOS授权代理进行采购，以获取正品保障与技术支援。

综合其高耐压、低导通电阻、强电流能力及出色的热性能，AOB264L非常适用于对效率和功率密度有较高要求的场合。典型应用包括工业电源中的同步整流、DC-DC转换器中的开关元件、电机驱动控制以及各类需要高效功率切换的汽车电子系统。尽管其零件状态已标注为停产，但在许多现有设计和备件供应中，它仍是一款经过验证的经典功率器件选择。

• 型号:AOB264L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 19A/140A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:94 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8400 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB264L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。