AOB280A60L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下aMOS5产品系列的重要成员，AOB280A60L是一款采用先进平面MOSFET技术设计的N沟道功率场效应晶体管。该器件基于优化的单元结构和制造工艺，旨在实现高耐压与低导通损耗之间的卓越平衡。其核心架构通过精密的沟道设计和栅极氧化层控制，确保了在高压开关应用中具备快速响应能力和高可靠性，为电源转换系统的效率提升奠定了坚实基础。

在电气性能方面，600V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业级AC-DC电源、电机驱动等场合中常见的电压应力。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压、7A漏极电流条件下典型值仅为280毫欧，这一低导通阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，器件在25°C壳温下可支持高达14A的连续漏极电流，并具备156W的强散热能力，展现了出色的电流处理与功率耗散性能。对于设计工程师而言，其最大栅极电荷（Qg）低至23.5nC，结合3.6V的典型栅极阈值电压，意味着所需的驱动功耗更低，并有助于简化栅极驱动电路的设计。

该MOSFET采用工业标准的TO-263（D2Pak）表面贴装封装，这种封装形式在提供优良的散热路径和较高的功率密度之间取得了良好折衷，非常适合自动化贴片生产。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，能够适应严苛的环境要求。在实际的电路设计中，其±20V的最大栅源电压容限为驱动电路提供了充足的设计余量，而1350pF的典型输入电容（Ciss）则与快速的开关速度特性相关联。如需获取详细的技术支持或采购样品，可以联系官方授权的AOS代理商。

凭借其高压、低阻、高效率的特性组合，AOB280A60L非常适用于开关模式电源（SMPS）的PFC（功率因数校正）和主开关拓扑、不间断电源（UPS）、工业电机驱动与变频器、以及太阳能逆变器等新能源领域。在这些应用中，它能够有效提升系统的功率密度和整体能效，同时凭借aMOS5技术平台带来的稳健性，确保终端产品具备长久的使用寿命和高可靠性。

• 制造商产品型号：AOB280A60L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 14A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：aMOS5
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：14A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：280 毫欧 @ 7A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：23.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：156W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（D2Pak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB280A60L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。