AOT416技术参数

AOT416是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件，隶属于AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）的SDMOS产品系列。该器件基于成熟的平面MOSFET工艺构建，其核心设计旨在实现高耐压与低导通电阻之间的良好平衡。其100V的漏源击穿电压（Vdss）为电路提供了宽裕的安全工作裕度，而优化的单元结构有效降低了导通损耗，使其在开关电源和电机控制等应用中表现出色。

该MOSFET的关键电气特性使其在功率转换领域具备显著优势。在25°C环境温度（Ta）下，其连续漏极电流（Id）额定值为4.7A，而在借助散热器将管壳温度（Tc）控制在合理范围内时，该电流能力可大幅提升至42A，这突显了其强大的电流处理潜能。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流条件下，最大值仅为37毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。此外，最大栅极电荷（Qg）为23nC，输入电容（Ciss）最大值为1450pF，这些参数共同决定了其具有较快的开关速度，有助于降低开关损耗，提升高频应用的性能。

在接口与参数方面，AOT416采用经典的TO-220通孔封装，便于安装散热器以实现更高的功率耗散能力，其最大功耗在管壳温度（Tc）条件下可达150W。其栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电平为10V，而栅源电压（Vgs）可承受±25V的最大值，增强了驱动电路的鲁棒性。器件的阈值电压（Vgs(th)）最大为4V，具备良好的噪声抑制能力。其宽广的工作结温范围（-55°C至175°C）确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要稳定供货和技术支持的客户，建议通过官方AOS授权代理进行采购咨询。

尽管该产品目前已处于停产状态，但其经典的设计和可靠的性能使其在过去广泛应用于多种中功率场景。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制器、不间断电源（UPS）以及各类工业电源中的开关元件。其100V的耐压等级非常适合用于48V总线系统的初级侧开关或同步整流，以及低压电机驱动的H桥电路。在需要高效率、快速开关和良好热管理的设计中，AOT416曾是一个经过市场验证的选择。

• 型号:AOT416
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 4.7A/42A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Ta），42A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:7V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:37 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1450 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.92W（Ta），150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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