AOB280L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下高性能功率MOSFET产品线的重要成员，AOB280L是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率器件。其核心架构基于优化的单元设计，旨在实现极低的导通电阻与出色的开关性能平衡，同时确保了在高功率密度应用中的可靠性。该器件采用TO-263（DPak）封装，这种封装形式提供了优异的散热性能和机械强度，非常适合表面贴装工艺，便于自动化生产并节省PCB空间。

在电气特性方面，80V的漏源击穿电压（Vdss）使其能够从容应对工业及汽车环境中常见的电压波动与浪涌。其导通电阻表现尤为突出，在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，Rds(On)最大值仅为2.2毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。该器件支持宽泛的栅极驱动电压，最大可达±20V，并具有较低的栅极阈值电压（Vgs(th)），这简化了驱动电路的设计。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，有助于降低开关损耗，提升高频开关应用的性能。

该MOSFET的电流处理能力根据散热条件不同而有所区分，在壳温（Tc）条件下连续漏极电流可达140A，展现了强大的峰值功率处理潜力。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，结合高达333W（Tc）的最大功率耗散能力，确保了在严苛环境下的稳定运行。对于需要可靠供应链和深度技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是保障正品与获得完整应用支持的有效途径。

基于上述特性，AOB280L非常适合应用于对效率和功率密度有高要求的领域。其典型应用场景包括工业级开关电源（SMPS）的初级侧或同步整流、电机驱动与控制系统（如电动工具、风扇控制器）、DC-DC转换器以及汽车电子中的负载开关与电源管理模块。其优异的电气与热性能使其成为工程师在设计高可靠性、高效率功率转换方案时的理想选择。

• 制造商产品型号：AOB280L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 20.5A/140A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20.5A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：224nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11135pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB280L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。