AON6718L_101技术参数

AON6718L_101是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用先进SRFET技术的N沟道功率MOSFET。该器件采用紧凑的8-DFN（5x6）表面贴装封装，专为在高功率密度应用中实现高效率与高可靠性而设计。其核心架构基于优化的沟槽工艺，通过降低栅极电荷和导通电阻，显著提升了开关性能和功率转换效率。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）性能，在10V驱动电压、20A漏极电流条件下，最大值仅为3.7毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，使其在持续大电流工作状态下仍能保持较低的温升。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为72nC @ 10V，结合适中的输入电容，确保了快速的开关切换能力，有效降低了开关损耗，这对于高频开关电源应用至关重要。

在电气参数方面，AON6718L_101具备30V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量。其电流处理能力出色，在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为18A，而在管壳温度为25°C时，该值可高达80A，展现了强大的峰值电流承载能力。器件内置了体肖特基二极管，有助于改善反向恢复特性。其驱动电压范围宽泛，栅源电压（Vgs）最大可承受±20V，而阈值电压（Vgs(th)）最大值仅为2.2V，与常见的3.3V或5V逻辑电平驱动兼容性良好，简化了驱动电路设计。其最大功耗在环境温度下为2.1W，在管壳温度下可达83W，工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。如需获取官方技术支持与供货保障，建议通过AOS授权代理进行咨询与采购。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合用于需要高效功率管理的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流、电机驱动控制、负载开关以及各类便携式设备中的电源管理模块。其紧凑的DFN封装尤其适合空间受限的现代电子设备，帮助设计工程师在提升系统效率的同时，优化整体布局与散热设计。

• 制造商产品型号：AON6718L_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 18A/80A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SRFET
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：72nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：4463pF @ 15V
• FET功能：肖特基二极管（体）
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN（5x6）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON6718L_101现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。