AOB282L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能功率MOSFET，AOB282L采用了先进的N沟道MOSFET技术，其核心架构基于优化的单元设计和沟槽工艺，旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。该器件在硅片层面进行了精细化处理，有效降低了栅极电荷和内部电容，从而提升了在高频开关应用中的整体性能表现，其热设计也经过优化，确保在宽温度范围内稳定工作。

该芯片的显著特性在于其优异的电气参数。80V的漏源击穿电压（Vdss）为其提供了充足的电压裕量，适用于多种中压应用场景。其导通电阻（Rds(On)）在10V驱动电压、20A电流条件下典型值仅为3.2毫欧，这一低阻值特性直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，高达105A（Tc）的连续漏极电流能力与272.5W（Tc）的最大功率耗散，使其能够处理可观的功率等级，而178nC（@10V）的栅极电荷（Qg）则有助于降低驱动电路的开关损耗，简化栅极驱动设计。

在接口与封装方面，AOB282L采用行业标准的TO-263（DPak）表面贴装封装，具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化生产装配。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在严苛环境下的可靠性。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取该产品及相关设计资源。其驱动电压范围（最大RdsOn对应6V，最小对应10V）和±20V的最大栅源电压（Vgs）为设计提供了灵活性，而7765pF的输入电容（Ciss）参数则为高频布局中的寄生效应评估提供了关键依据。

基于上述技术特点，AOB282L非常适合于要求高效率和高可靠性的功率转换领域。典型应用包括DC-DC转换器、电机驱动控制、不间断电源（UPS）系统以及工业电源等。在这些场景中，其低导通电阻和高电流处理能力有助于减少热量产生，提升功率密度，而其稳健的电压和温度规格则保障了系统长期运行的稳定性，是工程师设计下一代中高功率密度电源解决方案时的有力选择。

• 制造商产品型号：AOB282L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 18.5A/105A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：178nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：7765pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），272.5W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB282L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。