AON7244技术参数

AON7244是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，封装于紧凑的8-DFN-EP（3.3x3.3）表面贴装型封装内。该器件设计用于在开关电源转换、电机控制和负载开关等应用中提供高效的功率处理能力，其核心架构旨在优化导通损耗与开关性能的平衡。

该MOSFET的突出特性在于其优异的导通电阻（Rds(on)）表现，在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，其最大值仅为8.5毫欧。这一低导通电阻特性直接转化为更低的传导损耗，有助于提升系统整体效率并减少热耗散。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为32nC @ 10V，较低的栅极电荷意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，这对于高频开关应用至关重要，可以有效降低开关过程中的能量损失。

在电气参数方面，AON7244具备60V的漏源击穿电压（Vdss），提供了充足的电压裕量以应对线路上的电压尖峰。其电流处理能力根据散热条件不同而有所区别，在环境温度（Ta）下连续漏极电流为20A，而在管壳温度（Tc）下则可高达50A，这突显了其强大的电流承载潜力与良好的热性能。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.5V，与标准逻辑电平兼容，便于由微控制器或专用驱动器直接或间接驱动。对于需要稳定可靠供货渠道的客户，可以通过官方授权的AOS一级代理进行采购咨询。

得益于其低Rds(on)、低Qg和高电流能力的组合，AON7244非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的场景。典型应用包括直流-直流（DC-DC）转换器中的同步整流或主开关、电动工具和无人机中的电机驱动电路、以及服务器和通信设备中的负载点（POL）转换和热插拔保护。其宽泛的工作结温范围（-55°C 至 150°C）也确保了其在严苛环境下的可靠运行。

• 型号:AON7244
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 20A/50A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Ta），50A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2435 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:6.2W（Ta），83W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerWDFN
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AON7244现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。