AOB286L技术参数

AOB286L是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的高性能N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，构建于成熟的平面工艺平台之上，其核心设计旨在实现低导通电阻与高开关效率的平衡。其TO-263（DPak）封装不仅提供了优异的表面贴装兼容性，更通过大面积金属裸露焊盘实现了卓越的热管理能力，确保芯片在高功率耗散场景下的稳定运行。

该器件的电气性能表现突出，其漏源电压（Vdss）额定值为80V，能够承受较高的开关电压应力。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至5.7毫欧（@20A），这一关键参数直接决定了导通状态下的功率损耗水平，对于提升系统整体效率至关重要。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为63nC（@10V），较低的栅极电荷有助于降低开关损耗，并简化栅极驱动电路的设计，使得开关频率可以进一步提升。

在电流承载能力上，AOB286L提供了两种条件下的标称值：在环境温度（Ta）25°C下连续漏极电流（Id）为13A，而在管壳温度（Tc）25°C下则高达70A，这充分体现了其封装的热性能优势。其栅源电压（Vgs）最大耐受值为±20V，提供了较宽的安全驱动裕度。器件的工作结温（TJ）范围宽广，从-55°C延伸至175°C，使其能够适应严苛的工业与汽车环境。对于需要可靠供应链和全面技术支持的项目，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的有效途径。

综合其80V的耐压、极低的导通电阻、快速的开关特性以及TO-263封装带来的强大散热能力，AOB286L非常适用于对效率和功率密度有较高要求的应用场景。典型应用包括但不限于DC-DC转换器中的同步整流或主开关、电机驱动控制电路、各类电源模块以及工业自动化设备中的功率开关单元。其稳健的设计使其成为工程师在构建高效、紧凑型功率解决方案时的可靠选择。

• 制造商产品型号：AOB286L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 80V 13A/70A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：80V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：13A（Ta），70A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：63nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3142pF @ 40V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），167W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOB286L现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。