AON7934_101技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）旗下的一款高性能MOSFET阵列，AON7934_101集成了两个独立的N沟道增强型MOSFET，采用先进的功率半导体工艺制造。其核心架构基于双路共源极设计，集成于一个紧凑的8-WDFN封装内，这种设计不仅优化了芯片内部的布局与热分布，也为高密度PCB设计提供了便利。该器件在单一芯片上实现了两路功率开关的同步控制，有效减少了外部元件数量与PCB占用面积，提升了系统集成度与可靠性。

该芯片的功能特点突出体现在其优异的电气性能上。其漏源击穿电压（Vdss）为30V，能够满足多种中低压应用场景的需求。在导通特性方面，在10V栅极驱动电压下，其导通电阻（RDS(on)）可低至7.7毫欧（@15A），这一极低的导通损耗直接转化为更高的系统效率和更少的热量产生。同时，其栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.2V，确保了与主流逻辑电平控制器（如3.3V或5V MCU）的良好兼容性，简化了驱动电路设计。

在动态参数与接口特性上，AON7934_101同样表现出色。其栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）经过优化，分别控制在17.5nC（@10V）和807pF（@15V）的最大值，这有助于降低开关损耗并提升高频开关性能。器件支持高达150°C的结温（TJ）工作，表面贴装型封装结合其优异的散热能力（Tc条件下最大功率可达25W），使其能够在严苛的热环境中稳定运行。对于需要可靠供应链支持的批量项目，通过官方授权的AOS一级代理进行采购是确保产品正品与供货稳定的重要途径。

基于上述技术参数，该芯片非常适合应用于对空间和效率有严格要求的领域。其典型的应用场景包括服务器和通信设备的负载点（POL）DC-DC同步整流、电机驱动中的H桥或半桥电路、电池保护与管理系统中的放电开关，以及各类便携式设备中的电源分配与开关。其双通道集成的特性尤其适合需要多路独立或互补控制的功率拓扑，为工程师提供了高效、紧凑的功率解决方案。

• 型号:AON7934_101
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:8-DFN-EP（3x3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A 8DFN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Ta），16A（Tc），15A（Ta），18A（Tc）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.2 毫欧 @ 13A，10V，7.7 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11nC @ 10V，17.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485pF @ 15V，807pF @ 15V
• 功率 - 最大值:2.5W（Ta），23W（Tc），2.5W（Ta），25W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-WDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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