AOB288L技术参数

AOB288L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，采用先进的MOSFET（金属氧化物）技术，封装于TO-263（DPak）表面贴装型封装中，专为高效率、高功率密度应用而设计。该器件基于优化的垂直架构，实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡，其沟道设计有效降低了栅极电荷和内部电容，从而提升了整体能效和开关频率潜力。

该MOSFET的核心优势在于其卓越的电气性能。其漏源电压（Vdss）额定值为80V，能够承受较高的开关电压应力。在导通特性方面，在10V驱动电压（Vgs）下，20A电流时的导通电阻（Rds(on)）典型值低至8.9毫欧，这直接转化为更低的传导损耗和发热量。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为38nC @ 10V，结合1871pF @ 40V的输入电容（Ciss），意味着所需的驱动能量更小，有助于简化驱动电路设计并进一步提升开关速度，减少开关损耗。

在可靠性方面，AOB288L展现了宽泛的工作适应性。其结温（TJ）范围覆盖-55°C至175°C，确保在严苛环境下稳定运行。该器件在壳温（Tc）条件下的连续漏极电流（Id）高达46A，在环境温度（Ta）下为10.5A，配合高达93.5W（Tc）的功率耗散能力，使其能够处理可观的功率水平。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了安全的驱动电压裕量。对于需要稳定供货和技术支持的用户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取产品与相关服务。

凭借上述特性，AOB288L非常适用于要求高效率和高可靠性的中高功率开关场景。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧整流与同步整流、电机驱动控制电路中的H桥或半桥拓扑、DC-DC转换器以及各类工业电源模块。其TO-263封装具有良好的散热性能，便于通过散热片进行热管理，是电源设计师在提升系统效率和功率密度时的优选器件。

• 型号:AOB288L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 10.5A/46A TO263
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10.5A（Ta），46A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.9 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1871 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.1W（Ta），93.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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