AOB290L技术参数

作为一款高性能的N沟道功率MOSFET，AOB290L采用了先进的MOSFET（金属氧化物）半导体技术，其核心架构旨在实现高效率的功率开关与控制。该器件基于成熟的平面工艺优化，在硅片层面实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡，从而在开关损耗和导通损耗之间取得了优异的综合性能。其TO-263（DPak）封装不仅提供了良好的机械强度和散热能力，其表面贴装型设计也便于自动化生产，满足现代电子制造的需求。

在电气性能方面，100V的漏源电压（Vdss）额定值使其能够稳定工作在多种中压应用环境中。其导通特性尤为突出，在10V驱动电压下，导通电阻（Rds(On)）典型值低至3.2毫欧（在20A条件下），这直接转化为更低的导通压降和功率损耗，提升了系统整体效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在126nC（@10V），有助于降低开关过程中的驱动损耗，并简化栅极驱动电路的设计。该器件在25°C环境温度下连续漏极电流（Id）为18A，而在借助封装良好散热（壳温Tc条件下）时，其电流承载能力可高达140A，展现了强大的峰值功率处理潜力。

该芯片的接口与参数设计充分考虑了系统的鲁棒性与可靠性。其栅源电压（Vgs）最大额定值为±20V，提供了较宽的驱动安全裕度。阈值电压Vgs(th)最大值为4.1V，确保了良好的噪声抑制能力。输入电容（Ciss）为9550pF，在开关速度与EMI控制之间提供了设计灵活性。器件的工作结温范围宽达-55°C至175°C，能够适应严苛的工作环境。其功率耗散能力在壳温（Tc）条件下可达500W，配合有效的散热设计，可支持持续的高功率运行。对于需要稳定货源和技术支持的客户，可以通过官方AOS总代理进行采购与咨询。

基于上述技术特性，AOB290L非常适合应用于对效率和功率密度有较高要求的领域。典型应用场景包括工业电源中的DC-DC转换器、电机驱动与控制系统、不间断电源（UPS）以及各类大电流开关电路。其优异的导通和开关性能使其成为提升系统能效、减小散热器尺寸的理想选择，尤其适用于空间受限且对热管理要求严格的设计方案。

• 制造商产品型号：AOB290L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 18A/140A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：18A（Ta），140A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：126nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9550pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），500W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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