AOTF286L技术参数

AOTF286L是AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）推出的一款采用TO-220-3F封装、面向中高功率应用设计的N沟道功率MOSFET。该器件基于先进的平面MOSFET技术构建，其核心设计目标是在80V的漏源电压（Vdss）额定值下，实现极低的导通损耗与出色的开关性能平衡。其内部架构优化了单元密度与沟道设计，旨在降低导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），这对于提升系统效率、降低温升至关重要。

该MOSFET的关键电气特性使其在同类产品中具备显著优势。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压（Vgs）、20A漏极电流（Id）条件下，典型值低至6毫欧，这直接转化为更低的传导损耗。同时，其栅极总电荷（Qg）最大值仅为63nC @ 10V，结合适中的输入电容（Ciss），意味着开关过程中的栅极驱动损耗较低，有助于实现更高频率的开关操作并简化驱动电路设计。器件在25°C环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为13.5A，而在借助散热器通过外壳（Tc）散热时，该电流能力可显著提升至56A，展现了其强大的电流处理潜力。其栅源电压（Vgs）耐受范围为±20V，提供了宽裕的安全设计余量。

在接口与热性能方面，AOTF286L采用标准的通孔TO-220-3F封装，便于安装散热器以实现高效的热管理。其最大功耗在环境温度（Ta）下为2.2W，在管壳温度（Tc）下则高达37.5W，这突显了有效散热对于释放其全部性能的重要性。器件拥有宽广的结温（Tj）工作范围，从-55°C直至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。对于需要批量采购和技术支持的客户，通过官方授权的AOS一级代理渠道是确保产品正品来源和获得全面服务支持的重要途径。

凭借80V的耐压、低至6毫欧的导通电阻以及优秀的开关特性，AOTF286L非常适合应用于需要高效功率转换和控制的领域。典型应用包括开关模式电源（SMPS）的初级侧或次级侧同步整流、电机驱动控制器（如电动工具、风扇）、DC-DC转换器以及各类工业级电源系统中的功率开关。其稳健的设计使其成为工程师在追求高功率密度和高可靠性解决方案时的优选功率器件。

• 型号:AOTF286L
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-220F
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 13.5A/56A TO220
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13.5A（Ta），56A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:63 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3142 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），37.5W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220F
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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