AON7202_101技术参数

AON7202_101是一款由AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）设计生产的N沟道功率MOSFET。该器件采用先进的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）技术，其核心架构基于优化的单元设计和低阻抗金属化工艺，旨在实现极低的导通损耗和出色的开关性能。其8-DFN-EP（3x3）封装集成了裸露焊盘，不仅提供了优异的散热路径，还实现了紧凑的占板面积，非常适合高密度PCB布局。

该MOSFET的显著特性在于其卓越的电气性能。它具备30V的漏源击穿电压（Vdss），在25°C环境温度下可提供高达20A的连续漏极电流（Id），而在管壳温度下该值可达40A，展现出强大的电流处理能力。其导通电阻（Rds(On)）在10V栅极驱动电压和20A漏极电流条件下，最大值仅为5毫欧，这一低阻抗特性直接转化为更低的传导损耗和更高的系统效率。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为33nC @ 10V，结合2200pF @ 15V的输入电容（Ciss），意味着器件具有快速的开关速度，能有效降低开关过程中的能量损耗。

在接口与参数方面，AON7202_101的栅极驱动电压范围宽泛，标准驱动电压为4.5V至10V，而栅源电压（Vgs）可承受±20V的最大值，提供了较强的驱动鲁棒性。其阈值电压（Vgs(th)）最大值为2.3V @ 250A，确保了良好的噪声抑制能力和易驱动性。器件的工作结温范围覆盖-55°C至150°C，最大功耗在环境温度下为3.1W，在管壳温度下可达36W，体现了其可靠的热性能。对于需要稳定供货和技术支持的客户，可以通过官方指定的AOS代理商获取相关服务与产品信息。

凭借其高电流能力、低导通电阻和快速开关特性，该器件非常适合应用于对效率和功率密度有严苛要求的场景。典型应用包括服务器和通信设备的DC-DC同步整流及负载开关、笔记本电脑的电源管理、电机驱动控制电路以及各类便携式电子设备中的功率转换模块。其表面贴装型封装也完全适配现代自动化生产工艺的需求。

• 制造商产品型号：AON7202_101
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 20A/40A 8DFN
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：20A（Ta），40A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：5 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：33nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2200pF @ 15V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：3.1W（Ta），36W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-DFN-EP（3x3）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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