AOB418L技术参数

作为AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc.）SDMOS系列中的一员，AOB418L是一款采用N沟道增强型MOSFET技术的功率半导体器件。其核心架构基于先进的平面工艺，在硅片上集成了高密度的元胞结构，以实现优异的导通电阻与栅极电荷乘积（Rds(on)*Qg），这是衡量开关效率的关键指标。该器件采用TO-263（DPak）封装，这种封装形式提供了良好的机械强度和散热能力，其金属背板可直接与散热器接触，有效将内部结温（TJ）的热量导出，从而支持更高的持续功率处理能力。

在电气性能方面，该器件具备100V的漏源击穿电压（Vdss），为其在离线式开关电源、电机驱动等存在电压尖峰的应用中提供了充足的安全裕量。其导通电阻（Rds(on)）在10V栅极驱动电压（Vgs）和20A漏极电流（Id）条件下，典型值低至9.7毫欧，这意味着在导通状态下产生的传导损耗极低。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为83nC，结合适中的输入电容（Ciss），使得开关过程中的驱动损耗和开关延迟得以显著降低，有利于提升系统在高频工作下的整体效率。

该MOSFET的驱动门槛电压（Vgs(th)）最大值为3.9V，标准驱动电压范围为4.5V至10V，与常见的5V或12V逻辑电平控制器具有良好的兼容性。其电流处理能力根据散热条件不同而有所区别：在环境温度（Ta）下连续漏极电流（Id）为9.5A，而在管壳温度（Tc）条件下则可高达105A，这突显了有效散热设计对于发挥其最大性能的重要性。其工作结温范围宽广，从-55°C延伸至175°C，确保了其在严苛环境下的可靠运行。对于需要批量采购或技术支持的客户，可以通过官方授权的AOS中国代理获取相关服务与产品信息。

综合其参数特性，AOB418L非常适用于需要高效率、高可靠性的功率转换场景。典型应用包括但不限于AC-DC开关电源的初级侧或次级侧同步整流、DC-DC转换器中的负载开关、电机控制驱动桥以及不间断电源（UPS）系统中的功率管理模块。其优异的开关性能与导通特性，使其成为工程师在设计中等功率密度电源解决方案时的一个经典选择。

• 制造商产品型号：AOB418L
• 制造商：AOS（Alpha & Omega Semiconductor Inc. 美国万代半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 9.5A/105A TO263
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：SDMOS
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A（Ta），105A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：9.7 毫欧 @ 20A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：83nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±12V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：5200pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：TO-263（DPak）
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

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