AOD600A70技术参数

Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS) 推出的 AOD600A70 是一款采用先进 aMOS5 技术平台的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 表面贴装封装，专为高电压、高效率的功率转换应用而设计。其核心架构通过优化单元密度和工艺技术，在 700V 的高漏源电压 (Vdss) 额定值下，实现了导通电阻 (Rds(on)) 与栅极电荷 (Qg) 之间的出色平衡，这对于降低开关损耗和传导损耗至关重要。

该 MOSFET 在 10V 栅极驱动电压下，导通电阻最大值仅为 600 毫欧（测试条件为 2.5A），同时栅极电荷 (Qg) 典型值控制在较低水平。这种低 Rds(on) 与低 Qg 的组合特性，使其能够有效处理高达 8.5A 的连续漏极电流（壳温 Tc 条件下），并在高频开关电路中保持优异的热性能和效率。高达 104W 的功率耗散能力和宽广的结温工作范围（-55°C 至 150°C），确保了器件在严苛环境下的可靠性与鲁棒性。其栅源电压 (Vgs) 最大额定值为 ±20V，提供了足够的驱动裕量，而阈值电压 Vgs(th) 的典型设计也便于与常见的控制器配合使用。

在电气参数方面，AOD600A70 展现了全面的性能。其输入电容 (Ciss) 在 100V 漏源电压下最大值为 870pF，有助于优化驱动电路设计。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，可以通过官方授权的 AOS代理 获取该产品。器件采用标准的 TO-252 封装，兼容自动化贴装工艺，便于集成到各种电源板卡设计中。

基于其 700V 的耐压能力和良好的开关特性，这款 MOSFET 非常适用于离线式开关电源 (SMPS) 的初级侧开关、功率因数校正 (PFC) 电路、LED 照明驱动以及工业电机控制等应用场景。在这些领域中，它能够帮助系统设计师提升功率密度和整体能效，满足日益严格的能源法规要求。

• 型号:AOD600A70
• 品牌: Alpha & Omega Semiconductor Inc. (AOS,万代半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:104W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 更多产品技术参数细节，请下载技术文档后获取。

作为AOS代理商的战略合作伙伴，我们长期提供AOD600A70现货供应，支持技术选型与替代方案，欢迎咨询获取最新价格及资料。